L79/HCS系統(tǒng)可用于對半導體器件性能表征，包括:遷移率，電阻率，載流子濃度和霍爾常數(shù)。
基本型提供不同形狀和溫度條件下所需的樣品支架。選配低溫（液氮）附件結合高溫爐（溫度可達800°C）可保證所有應用領域環(huán)境條件下的測試。永磁體和電磁體可提供高達數(shù)個特斯拉強度的固定或者可變磁場。
基于測量軟件可顯示的視窗內(nèi)容包括I-V 和 I-R 數(shù)據(jù)圖.
系統(tǒng)可測試多種材料包括Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N 型或P型均可測量), 金屬膜, 氧化物等. 樣品測試時便可完成系統(tǒng)功能演示。
特點
? 載流子濃度
? 電阻率
? 遷移率
? 電導率
? α (水平電阻值/垂直電阻值)
? 霍爾常數(shù)
? 磁致電阻
L79/HCS系統(tǒng)可用于對半導體器件性能表征，包括:遷移率，電阻率，載流子濃度和霍爾常數(shù)。
基本型提供不同形狀和溫度條件下所需的樣品支架。選配低溫（液氮）附件結合高溫爐（溫度可達800°C）可保證所有應用領域環(huán)境條件下的測試。永磁體和電磁體可提供高達數(shù)個特斯拉強度的固定或者可變磁場。
基于測量軟件可顯示的視窗內(nèi)容包括I-V 和 I-R 數(shù)據(jù)圖.
系統(tǒng)可測試多種材料包括Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N 型或P型均可測量), 金屬膜, 氧化物等. 樣品測試時便可完成系統(tǒng)功能演示。
特點
? 載流子濃度
? 電阻率
? 遷移率
? 電導率
? α (水平電阻值/垂直電阻值)
? 霍爾常數(shù)
? 磁致電阻
