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應(yīng)用領(lǐng)域
我們的熱分析設(shè)備所應(yīng)用的領(lǐng)域
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林賽斯 HCS 專為半導(dǎo)體材料的表征而設(shè)計(jì)。它能夠精確測定霍爾常數(shù)、電阻率，并進(jìn)一步計(jì)算載流子濃度和霍爾遷移率。臺(tái)式版本提供多種配置，可根據(jù)樣品的幾何形狀和溫度需求靈活選擇不同的樣品支架。系統(tǒng)提供可選的低溫?cái)U(kuò)展模塊，支持液氮環(huán)境下的測量，同時(shí)高溫版本可擴(kuò)展至 800 °C ，全面覆蓋各類應(yīng)用場景。
內(nèi)置的永磁體和電磁體可提供高達(dá)近 1 特斯拉的固定或可變磁場，確保測量的高精度。配套的基于 Windows© 的綜合軟件支持便捷記錄 I-V 和 I-R 曲線，并高效評估霍爾遷移率、電導(dǎo)率和載流子濃度。
林賽斯 HCS 系統(tǒng)適用于多種材料的測量，包括 Si、SiGe、SiC、GaAs、InGaAs、InP、GaN（N 型和 P 型）以及金屬層、金屬氧化物等。
| 類型 | HCS 1 (HCS L36 Basic) |
| 溫度范圍： | 多種版本：從液氮（LN2）至 600 °C -160 °C（可控冷卻） -196 °C（冷卻） |
| 磁體： | 兩個(gè)永磁體，磁場強(qiáng)度為 ±0.7 T 磁體直徑：120 mm 最大均勻性：±1%（在 50 mm 范圍內(nèi)） |
| 電源： | 直流電源：1 nA 至 125 mA（8 個(gè)量級 / 兼容 ±12 V） |
| 電壓測量： | 直流低噪聲 / 低偏差：1 μV 至 2500 mV 4 個(gè)量級增益 數(shù)字分辨率：300 pV |
| 傳感器 / 樣品尺寸： | 5 × 5 mm2 至 12.5 × 12.5 mm2 ，最大樣品高度 3 mm 17.5 × 17.5 mm2 至 25 × 25 mm2 ，最大樣品高度 5 mm 42.5 × 42.5 mm2 至 50 × 50 mm2 ，最大樣品高度 5 mm 高溫板：10 × 10 mm2 ，最大樣品高度 2 mm |
| 電阻范圍： | 10-4 至 107 Ωcm |
| 載流子濃度： | 107 至 1021 cm-3 |
| 遷移率范圍： | 0.1 至 107 cm2V-1s-1 |
| 氣氛： | 真空、惰性、氧化性、還原性 |
| 溫度精度： | 0.05 °C |
| 類型 | HCS 10 (HCS L36 Advanced) |
| 溫度范圍： | 多種版本：從液氮（LN2）至 600 °C -160 °C（可控冷卻） -196 °C（冷卻） |
| 磁體： | 電磁體：可變直流磁場，最高 ±1 T，磁極直徑 76 mm，電源 75 A / 40 V 電流反向開關(guān)：支持雙極性測量 可選交流選項(xiàng)：交變磁場，可用磁場強(qiáng)度約 1 T，頻率最高 0.1 Hz |
| 電源： | 直流電源：1 nA 至 125 mA（8 個(gè)量級 / 兼容 ±12 V） 交流電源：16 μA 至 20 mA，輸入阻抗：> 100 GΩ，頻率范圍 1 mHz 至 100 kHz |
| 電壓測量： | 直流低噪聲 / 低偏差：1 μV 至 2500 mV，4 個(gè)量程增益，數(shù)字分辨率：300 pV 交流：20 nV 至 1 V，可調(diào)積分時(shí)間和增益 |
| 傳感器 / 樣品尺寸： | 5 × 5 mm2 至 12.5 × 12.5 mm2 ，最大樣品高度 3 mm 17.5 × 17.5 mm2 至 25 × 25 mm2 ，最大樣品高度 5 mm 42.5 × 42.5 mm2 至 50 × 50 mm2 ，最大樣品高度 5 mm 高溫板：10 × 10 mm2 ，最大樣品高度 2 mm |
| 電阻范圍： | 10-4 至 107 Ωcm |
| 載流子濃度： | 107 至 1021 cm-3 |
| 遷移率范圍： | 10-3 至 107 cm2V-1s-1 |
| 氣氛： | 真空、惰性、氧化性、還原性 |
| 溫度精度： | 0.05 °C |
| 類型 | HCS 100 (HCS L36 Ultimate) |
| 溫度范圍： | 室溫至 500 °C |
| 磁體： | 磁場強(qiáng)度：最高 0.5 T（交流或直流磁場） 多段 Halbach 配置，內(nèi)徑：40 mm，高度：98 mm |
| 電源： | 直流電源：1 nA 至 125 mA（8 個(gè)量級 / 兼容 ± 12 V） 交流電源：16 μA 至 20 mA，輸入阻抗：> 100 GΩ，頻率范圍 1 mHz 至 100 kHz |
| 電壓測量： | 直流低噪聲 / 低偏差：1 μV 至 2500 mV，4 個(gè)量級增益，數(shù)字分辨率：300 pV 交流：20 nV 至 1 V，可調(diào)積分時(shí)間和增益 |
| 傳感器 / 樣品尺寸： | 最大 10 × 10 mm2，最大樣品高度 2.5 mm |
| 電阻范圍： | 10-5 至 107 Ωcm |
| 載流子濃度： | 107 至 1022 cm-3 |
| 遷移率范圍： | 1 至 107 cm2V-1s-1 |
| 氣氛： | 真空、惰性、氧化性、還原性 |
| 溫度精度： | 0.05 °C |
銻（Sb）是一種半金屬，廣泛應(yīng)用于熱電領(lǐng)域（以合金形式存在，例如 Bi???Sb?），并在微電子領(lǐng)域作為新興應(yīng)用材料。然而，金屬銻最主要的應(yīng)用是鉛酸電池中的鉛銻板。下圖展示了使用林賽斯 HCS 1 (HCS L36 Basic)（室溫至 200 °C 選項(xiàng)）對通過濺射沉積在 SiO?/Si 基底上制備的薄膜進(jìn)行的全面表征。
