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TFA L59
新型林賽斯 TFA L59 是一款極為出色的工具，能夠以極其方便和快速的方式對各種薄膜樣品的物理特性進行表征。它是一款易于使用的獨立式系統(tǒng)，采用了正在申請專利的測量設(shè)計，可提供高度準(zhǔn)確的測量結(jié)果。
描述
獨特功能
規(guī)格參數(shù)
應(yīng)用
推薦產(chǎn)品

新型林賽斯 TFA L59 設(shè)備可用于表征薄膜的物理特性，它是一個高度集成且易于使用的測量平臺。


TFA L59 基本配置包括一個測量芯片（樣品可以輕松地沉積在其上面）以及一個用于提供所需環(huán)境條件的測量腔室。根據(jù)應(yīng)用的不同，該配置可與鎖相放大器和 / 或強電磁體配合使用。測量通常在高真空條件下進行，并且在測量過程中，利用液氮（LN2）和功率強勁的加熱器，樣品溫度可控制在 -160 ℃ 至 280 ℃ 之間。


測量芯片將用于測量導(dǎo)熱系數(shù)的 3ω 測量技術(shù)與用于確定電輸運性質(zhì)的四點范德堡裝置相結(jié)合，塞貝克系數(shù)可以通過位于范德堡電極附近集成的電阻溫度計來測量。為了便于樣品制備，可以使用剝離箔掩模或金屬蔭罩。


這種配置允許對通過物理氣相沉積（PVD，例如熱蒸發(fā)、濺射、分子束外延）、化學(xué)氣相沉積（CVD，例如原子層沉積）、旋涂、滴鑄或噴墨打印等方法制備的樣品，在一步操作中幾乎同時進行表征。


該系統(tǒng)的一大優(yōu)勢在于能夠在一次測量過程中同時測定多種物理性質(zhì)。所有的測量都是在相同的（面內(nèi)）方向上進行的，因此具有很強的可比性。

獨特功能
  • 基于芯片的測量裝置，配備完全集成且預(yù)先結(jié)構(gòu)化的芯片作為耗材
  • 對于不同的材料、厚度、電阻以及沉積方法具有高度的靈活性
  • 高質(zhì)量且易于使用的薄膜（nm 至 μm 范圍）表征系統(tǒng)
  • 對于半導(dǎo)體、金屬、陶瓷和有機材料，在同一樣品上沿相同方向進行的單次測量過程中可完成所有特性參數(shù)的測量。
  • 易于樣品制備和處理
  • 寬廣的溫度范圍（-160 ℃ - 280 ℃）
規(guī)格參數(shù)
類型 TFA L59
溫度范圍： RT - 280 °C
-160 °C - 280 °C 		真空度： 10E-4 mbar
樣品厚度： 5 nm - 25 μm（取決于樣品） 電子設(shè)備： 集成式
測量原理： 基于芯片構(gòu)造（預(yù)結(jié)構(gòu)化的測量芯片，每盒 24 個） 接口： USB

樣品制備方法：

物理氣相沉積（濺射、汽化）、原子層沉積、旋涂、

噴墨打印等

導(dǎo)熱系數(shù)： 0.05 - 200 W/(m?K)
3ω 法，熱帶法（面內(nèi)測量）
測量參數(shù)： 導(dǎo)熱系數(shù) （3ω 法）
比熱容 		電導(dǎo)率：
 0.05 - 1×106 S/cm
Van der Pauw 四探針測量法
自選模塊： 塞貝克系數(shù) / 電導(dǎo)率 / 電阻率
霍爾常數(shù) / 霍爾遷移率 / 電荷載流子密度
(電磁體（磁場強度）可達 1 T，永磁體（磁場強度）為 0.5 T) 		塞貝克系數(shù)： 5 - 2500 μV/K
應(yīng)用
適用于表征 nm 至 μm 厚度范圍的薄膜的物理特性，如半導(dǎo)體、金屬、陶瓷和有機材料。
鉍銻薄膜

在真空條件下通過熱蒸發(fā)制備厚度為 142 nm 的鉍-銻薄膜，在 -160 ℃ 至 140 ℃ 的溫度范圍內(nèi)測量其熱導(dǎo)率、電導(dǎo)率和 Seebeck 系數(shù)。根據(jù)這些參數(shù)計算 ZT 值，室溫（20 ℃）下 ZT 的最大值為 0.16 。

PEDOT:PSS 薄膜

通過滴涂法制備厚度為 15 μm 的 PEDOT:PSS 薄膜（高導(dǎo)電等級），在 -150 ℃ 至 100 ℃ 的溫度范圍內(nèi)對其進行了測量。

金納米膜

在真空條件下采用直流磁控濺射法制備了厚度為 100 nm 的金（Au）納米層，在 -50 ℃ 至 100 ℃ 的溫度范圍內(nèi)測量其熱導(dǎo)率、電導(dǎo)率和塞貝克系數(shù)，由這些參數(shù)計算得到 ZT 值。

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